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对用于光电集成（OEIC）的InP基异质结双极性晶体管（HBT）进行了分析，提出了一种新的集电区外延结构，该结构在集电极区和次集电区之间插入一层特定厚度的p-InGaAs和两层特定厚度但不同掺杂浓度的n-InP层，从仿真结果出发对各种不同结构做出分析，发现这种新结构克服了双异质结双极晶体管的电流阻挡效应，同时很好地解决了传统的双HBT（DHBT）的电子堆积效应和SHBT反向击穿电压低的问题。