薄膜全耗尽SOI器件的二维数值模拟软件

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：goodyoujun

【摘要】

：

开发了适合于薄膜亚微米、深亚微米ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的二维数值模拟软件ＬＡＤＥＳ－ＩＶ－Ｚ，该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生－复合作用，采用了独特的动态二步法求解泊松方程和电子、空穴的电流连续性方程，从

【作者】

：

张兴石涌泉黄敞

【机构】

：

北京大学微电子学研究所,西安微电子技术研究所

【出处】

：

微电子学与计算机

【发表日期】

：

1995年2期

【关键词】

：

SOI 薄膜二维数值模拟软件 SOI MOSFET Numerical simulation Thin film

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开发了适合于薄膜亚微米、深亚微米ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的二维数值模拟软件ＬＡＤＥＳ－ＩＶ－Ｚ，该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生－复合作用，采用了独特的动态二步法求解泊松方程和电子、空穴的电流连续性方程，从而大大提高了计算效率和收敛性。此模拟软件可用于分析沟道长度为０．１５－０．５μｍ、硅膜厚度为５０－４００ｎｍ的ＳＯＩ器件的工作机理及其端特性。模拟结果与实验结果比较，两者吻合较好，说明该模拟软件

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