【摘 要】
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报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流IC=34·2 mA的条件下,发射极面积为0·8μm×12μm的InP HBT截止频率fT为162GHz ,最大振荡频率fmax为52GHz ,最大
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国
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报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流IC=34·2 mA的条件下,发射极面积为0·8μm×12μm的InP HBT截止频率fT为162GHz ,最大振荡频率fmax为52GHz ,最大直流增益为120,偏移电压为0·10V,击穿电压BVCEO达到3·8V(IC=0·1μA) .这种器件非常适合在高速低功耗方面的应用,例如OEIC接收机以及模拟数字转换器.
Reported an emitter self-aligned InP-based heterojunction bipolar transistor with a collector current of IC = 34 · 2 mA, an emitter area of 0.8μm × 12μm InP HBT cutoff frequency fT of 162GHz, The maximum oscillation frequency fmax is 52GHz, the maximum DC gain is 120, the offset voltage is 0 · 10V, and the breakdown voltage BVCEO is 3.8V (IC = 0.1μA). This device is ideal for high speed and low power consumption Such as OEIC receivers and analog-to-digital converters.
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