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首先对深槽电容器应用于4Mb至256Mb动态随机存取记忆体的发展做简要的回顾,以便于读者了解不同时期的记忆体元件设计概念及关键技术.后半部分以示意图方式解析256Mb深槽电容器制造工艺流程,使读者进一步了解先进记忆体产品制造上的主要挑战.
动态随机存取记忆体的深槽电容器制造方法
【摘 要】
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首先对深槽电容器应用于4Mb至256Mb动态随机存取记忆体的发展做简要的回顾,以便于读者了解不同时期的记忆体元件设计概念及关键技术.后半部分以示意图方式解析256Mb深槽电容
【机 构】
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中芯国际
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2004年5期
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