紫外光电材料ZnO的反应溅射制备及研究

来源 :光子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：maotou528

【摘要】

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采用直流反应溅射法分别在Si(111),Si(001),及K4玻璃衬底上制备ZnO薄膜,研究了氧氩比、衬底温度以及退火处理对于晶体结晶质量的影响,发现生长过程中的退火处理提高了薄膜质

【作者】

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杨晓东张景文邹玮侯洵

【机构】

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西北大学光子学与光子技术研究所,中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室

【出处】

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光子学报

【发表日期】

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2002年10期

【关键词】

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紫外光电材料制备 ZNO 直流反应溅射 XRD 氧化锌薄膜 Zinc oxide films DC reactived magnetron sputerin

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采用直流反应溅射法分别在Si(111),Si(001),及K4玻璃衬底上制备ZnO薄膜,研究了氧氩比、衬底温度以及退火处理对于晶体结晶质量的影响,发现生长过程中的退火处理提高了薄膜质量和晶面取向.通过优化生长条件,在衬底温度为350℃,氧氩比为1∶2的条件下生长出了XRD半高宽为0.1°、C轴取向高度一致的ZnO薄膜.

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