氨化时间和膜厚对Si（Ⅲ）上AIN薄膜生长取向的影响

来源 :山东师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：y5603179

【摘要】

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采用磁控溅射技术在Si（Ⅲ）衬底上沉积了Al膜，在高温炉中使之与氨气反应制备／AIN薄膜．利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜等研究了薄膜的结构、成分以及表面形貌．结果表明不

【作者】

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胡丽君庄惠照薛成山薛守斌张士英李保理

【机构】

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山东师范大学物理与电子科学学院

【出处】

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山东师范大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2007年3期

【关键词】

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磁控溅射择优取向 AIN r.f. magnetron sputtering epitaxial growth AIN film

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采用磁控溅射技术在Si（Ⅲ）衬底上沉积了Al膜，在高温炉中使之与氨气反应制备／AIN薄膜．利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜等研究了薄膜的结构、成分以及表面形貌．结果表明不同氨气作用时间会使薄膜表现出不同的择优生长取向，同时不同厚度的Al薄膜也会在氨气作用后生成不同择优生长取向的A1N薄膜．

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