【摘 要】
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采用金属辅助化学腐蚀(MACE)法,通过控制不同的腐蚀时间制备出多孔硅.利用扫描电子显微镜(SEM)观察多孔硅形貌,分析结果表明,随着腐蚀时间的增加,硅表面腐蚀孔洞变大,孔洞深
【机 构】
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长春理工大学理学院,长春 130022
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采用金属辅助化学腐蚀(MACE)法,通过控制不同的腐蚀时间制备出多孔硅.利用扫描电子显微镜(SEM)观察多孔硅形貌,分析结果表明,随着腐蚀时间的增加,硅表面腐蚀孔洞变大,孔洞深度增加,同时孔洞深度的增加速率随之变缓.采用325 nm He-Cd激光光源的荧光光谱仪进行光致发光测试,研究在325 nm的激发光下不同腐蚀时间多孔硅的发光性能.发光强度与多孔硅的腐蚀时间及形貌有关,腐蚀时间延长,多孔硅形貌改变,多孔硅的发光强度先增加后减少.腐蚀20 min时多孔硅的发光强度最大,比腐蚀5 min时增加了 74％,发光峰位基本不发生变化.多孔硅光致发光性能的研究可为各种基于多孔硅光电器件的研究提供一定的参考.
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