【摘 要】
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考虑到氢氟酸溶液对晶体硅表面具有去氧化和氢离子钝化表面悬键的双重作用,通过优化清洗工艺使得a-Si∶H(i)/c-Si/a-Si∶H(i)异质结构有效少子寿命达到2 ms。研究不同沉积温度对p
【机 构】
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河北省光电信息材料重点实验室河北大学物理科学与技术学院;
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考虑到氢氟酸溶液对晶体硅表面具有去氧化和氢离子钝化表面悬键的双重作用,通过优化清洗工艺使得a-Si∶H(i)/c-Si/a-Si∶H(i)异质结构有效少子寿命达到2 ms。研究不同沉积温度对p型非晶硅薄膜电导率的影响,结合后退火发现中温(150℃)生长高温后退火的方式优于直接高温(200℃)沉积,电导率和钝化效果都有明显改善。采用优化后的p层,a-Si∶H(p+)/a-Si∶H(i)/c-Si/a-Si∶H(i)/a-Si∶H(n+)(inip)结构少子寿命可达3.70 ms。制备的HIT电池具有优良的性能:开路电压Voc=700 mV,潜在的填充因子pFF=82%,短路电流密度Jsc=32.10 mA/m2,填充因子FF=72.35%,转换效率η=16.26%,对比Suns-VocI-V曲线和标准条件下测试的I-V曲线计算得串联电阻,分析FF与pFF差异的原因。
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