基于0.18μm CMOS工艺8bit/150 MHz折叠插值ADC

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gongminsir2009
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
折叠插值模数转换器的转换速度快,可实现并行一步转换,但由于受到面积、功耗以及CMOS工艺线性度和增益的限制,其精度较低。提出了一种电流模均衡电路,能够有效地消除折叠电路中的共模影响,提高折叠电路增益及线性度,从而提高电路的转换精度。应用此技术,设计了一款折叠插值A/D转换器,工作电压为3.3V,采样时钟为150MHz,并通过0.18μm CMOS工艺实现,版图总面积为0.22mm^2。
其他文献
为防止股东滥诉,各国公司法都对股东提起派生诉讼的资格做出了限制,但我国应在一定程度上鼓励股东诉讼,放松对股东原告资格的限制。我国股东派生诉讼的被告包括公司董事、高级管
【正】 1995年2月28日第八届全国人大常委会第十二次会议通过的《关于惩治违反公司法的犯罪的决定》(以下简称《决定》)第10条规定:“公司的董事、监事或者职工利用职务或工
利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活性作用。X射线衍射和喇曼散射研究表明,当Mn
结合SOC测试结构的特点,采用量子进化算法对SOC测试结构进行优化。通过对量子进化算法中群体尺寸、旋转角度的合适设定,达到减少SOC测试所用时间的目的。针对国际SOC标准电路验
【正】数控专业教学改革的目标突出中等职业教育特点,结合地方经济的发展,准确定位人才培养目标,科学构建人才的知识和能力结构,优化课程体系和教学内容,注重综合职业能力培
随着半导体行业的发展,芯片的设计和功能变得越来越复杂,这样也就需要更多的测试项来筛选器件和检测功能。目前有许多方案致力于解决这一问题。本文讨论介绍了一种半导体测试行
在蓝宝石衬底上采用交替通Al源和NH3的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在
【正】 党的十四届三中全会通过的《中共中央关于建立社会主义市场经济体制若干问题的决定》明确指出:"建立现代企业制度,是发展社会化大生产和市场经济的必然要求,是我国国