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对于在Si（111）上用氧离子柬辅助（O^＋-assisted）脉冲激光淀积（PLD）生长的ZnO薄膜，用X射线光电子能谱（XPS）深度剖析方法对长成的样品进行了异位测试，分析了导致各峰峰位能移的因素；通过异位与原位XPS谱图的比较，指出O^＋-assisted PLD法生成的ZnO薄膜中存在孔隙；指出生长出的ZnO薄膜中含si成分的厚度不超过18nm；同时探讨了在长成的ZnO／Si上继续生长GaN薄膜的可行性．