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ZnO压敏陶瓷残压的高低决定了MOA的保护水平．针对残压的形成机制尚不清楚，测量了传统工艺制备的ZnO—Bi2O3系压敏陶瓷的小电流区、大电流区及部分中电流区的伏安特性．通过对中电流区和大电流区伏安特性的数据拟合发现，中电流区晶界电压降与电流密度之间符合隧道电流导电机制．且当进入大电流区时该晶界击穿电压最终达到一稳定值。计算表明，晶界击穿电压所引起的残压占总残压的90％左右．因此降低残压应主要考虑降低晶界上的击穿电压。