【摘 要】
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使用MOCVD工艺在单晶硅衬底(111)面上异质外延六方GaN.利用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)、扫面电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)及Raman光谱仪等多种分析方法对薄膜样品的
【机 构】
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中北大学电子测试技术国家重点实验室,中国电子科技集团公司第十三研究所
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使用MOCVD工艺在单晶硅衬底(111)面上异质外延六方GaN.利用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)、扫面电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)及Raman光谱仪等多种分析方法对薄膜样品的结构、形貌和光学性能进行表征和分析.测试结果表明:得到的晶体为六方纤锌矿结构,主要晶面为( 0002),且异质外延的GaN晶体质量良好,定向性好,表面光滑无裂缝.外延膜GaN中E2(高支)声子模和A1(LO)声子模的拉曼峰相对于弛豫状态时发生了红移,说明GaN受到了张应力；而Si的AO声子模的拉曼峰相对于本征频率发生了蓝移,说明Si受到了压应力.
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