【摘 要】
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忆阻器是具有记忆特性的非线性电阻器,是物理上新实现的第四种基本二端电路元件.以分段二次型非线性函数描述的有源磁控忆阻器为例,分析了有源忆阻器的伏安关系,研究了有源忆
【机 构】
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常州大学信息科学与工程学院,南京航空航天大学电子信息工程学院,南京理工大学电子工程系
【基金项目】
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国家自然科学基金（No.51277017）,江苏省自然科学基金（No.BK2012583）
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忆阻器是具有记忆特性的非线性电阻器,是物理上新实现的第四种基本二端电路元件.以分段二次型非线性函数描述的有源磁控忆阻器为例,分析了有源忆阻器的伏安关系,研究了有源忆阻器与电容串联电路（简称有源WC电路）的频率响应特性,并与有源RC电路进行了比较分析.结果表明：有源忆阻器的伏安特性曲线为紧磁滞回线,且依赖于其内部初始状态;有源WC电路与有源RC电路均呈现高通特性,但前者为超前网络而后者为滞后网络.基于有源磁控忆阻器的等效电路进行了电路仿真,其结果很好地验证了理论分析结果.
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