【摘 要】
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用KrF准分子脉冲激光沉积(PLD)法,以石英为衬底,在300℃～600℃制备了MgZnO薄膜。由拉曼光谱仪、AFM、UV/vis分光光度计对薄膜进行表征,结果表明,在600℃制备薄膜有最大的禁带宽度3.78 eV,以及最好的结晶质量。在此薄膜上镀上Al电极制备紫外传感器,测量了传感器的的I-V曲线、光谱响应特性,以及在365 nm紫外光辐照下的时间响应特性。传感器波长响应峰值在约320 nm;上
【机 构】
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深圳大学物理科学与技术学院,深圳市传感器技术重点实验室
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用KrF准分子脉冲激光沉积(PLD)法,以石英为衬底,在300℃～600℃制备了MgZnO薄膜。由拉曼光谱仪、AFM、UV/vis分光光度计对薄膜进行表征,结果表明,在600℃制备薄膜有最大的禁带宽度3.78 eV,以及最好的结晶质量。在此薄膜上镀上Al电极制备紫外传感器,测量了传感器的的I-V曲线、光谱响应特性,以及在365 nm紫外光辐照下的时间响应特性。传感器波长响应峰值在约320 nm;上升时间常数为9.1 ms,下降时间常数为16.5 ms。
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