【摘 要】
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利用自己开发的二维数值深亚微米ＳＯＩ器件模拟软件，较为详细地分析了沟道长度小于０．２μｍ的ＳＯＩ器件的阈值电压特性、穿通和击穿特性、亚阈值特性、亚阈值特性以及直流稳态特性等。通过这些
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利用自己开发的二维数值深亚微米ＳＯＩ器件模拟软件，较为详细地分析了沟道长度小于０．２μｍ的ＳＯＩ器件的阈值电压特性、穿通和击穿特性、亚阈值特性、亚阈值特性以及直流稳态特性等。通过这些模拟和分析计算，给出了沟道长度为０．１８、０．１５和０．１μｍ的薄膜全耗尽ＳＯＩ／ＭＯＳ器件的设计方案，并根据该设计方案成功地研制出了性能良好的沟道长度为０．１５μｍ的凹陷沟道ＳＯＩ器件。沟道长度为０．１５μｍ薄膜全耗
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