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研究了烧结温度对MoSi2发热元件性能的影响，使用SEM观察了各种烧结温度试样的微观组织、氧化层厚度及高温弯曲试样的表面形貌，测定了各种温度烧结试样的氧化动力学曲线、电阻率及抗弯强度。结果表明，高温烧结的MoSi2可进行热态弯曲成形，表面没有发现裂纹，试样中的气孔已明显球化，氧化层厚度明显小于低温烧结试样的。高温烧结试样的电阻率较低，抗弯强度较高，烧损温度达到1750℃。