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采用提拉法成功制备出高纯铜（Ca）单晶，最大尺寸为4,15mm×60mm。采用化学机械抛光（CMP）方法对Cu单晶基片进行抛光，借助光学显微镜、表面轮廓仪和扫描探针显微镜分析了基片表面形貌、表面粗糙度与表面均匀性，并探讨了抛光压力、表面活性剂和抛光垫对基片表面抛光的影响，结果表明：采用CMP加工后的铜单晶基片表面无宏观划痕、加工均匀性好，基片表面粗糙度醌为0．921nm。