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制作双外延晶界结,关键要能够生长性能良好的种子层与缓冲层外延薄膜。我们认为,BaZrO_3比MgO更适合作种子层。采用射频磁控溅射的方法,在750℃的衬底温度下,可以在SrTiO_3(100)衬底上生长BaZrO_3及CeO_2薄膜,X射线衍射分析及RHEED实验表明,BaZrO_3与CeO_2形成了良好的单晶外延薄膜。