硅电极／溶液界面开路电位—时间谱和原子力显微镜在化学镀Ag中的应用研究

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【摘要】

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用开路电位-时间谱技术,表征了在硅(100)表面化学镀银的硅电极/溶液界面吸附态.所得结果与原子力显微镜在纳米尺寸上的面结构信息分析结果作了对比.同时也将该结果与循环伏安

【作者】

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佟浩王春明

【机构】

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兰州大学化学化工学院

【出处】

：

化学学报

【发表日期】

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2002年11期

【关键词】

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硅电极/溶液界面开路电位-时间谱技术原子力显微镜硅(100) 表面化学镀镀银集成电路金属薄膜 open circuit potential-tim

【基金项目】

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国家自然科学基金

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用开路电位-时间谱技术,表征了在硅(100)表面化学镀银的硅电极/溶液界面吸附态.所得结果与原子力显微镜在纳米尺寸上的面结构信息分析结果作了对比.同时也将该结果与循环伏安法(cV)结果作了比较.证明当硅电极表面具有单层吸附Ag+离子、表面单层吸附Ag+离子发生沉积反应、Ag+离子发生本体沉积时的开路电位-时间曲线有完全不同的特征.

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