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建立一维半导体Ce的激光烧蚀模型，对波长为248nm，脉宽为17ns，峰值功率密度为4×10^8w／cm^2的KrF脉冲激光在1000torr（1torr=133．32pa）氦气环境下烧蚀晶体Ge及产生等离子体的过程进行了数值模拟，并对计算结果进行分析比较。结果表明在惰性气体环境下，气压在ltorr和1000torr之间变化对等离子体屏蔽现象的出现几乎不产生影响；背景气压的增大抑制了粒子的扩散，使等离子体的膨胀速度减小，限制了其膨胀的空间。