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通过改变衬底降温速率的方法利用分子束外延(MBE)和扫描隧道显微镜(STM)联合系统制备了不同形貌的GaAs(001)表面。采用SPIP软件测量统计和Bauer定则理论分析,研究了粗糙GaAs(001)表面对In0.15Ga0.85As薄膜生长的影响。结果表明粗糙GaAs(001)表面存在大量的岛和坑,表面能增加,易于In0.15Ga0.85As薄膜层状生长形成平整表面。经计算,面积为100×100nm2的粗糙GaAs(001)表面相对平坦GaAs(001)表面,其表面能增加了4.6×