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采用脉冲法生长了200nm厚的AlN薄膜，其XRD摇摆曲线的半高宽为130arcsec，表面粗糙度为2．021nm。以此AlN层为基板生长了不同Al组分的AlGaN薄膜，高分辨率XRD测试发现，随Al组分的增加，AlN基板层对AlGaN薄膜施加的压应力增大，同时，AlGaN薄膜在生长合并过程中产生的张应力也增大。在Al组分为0．67时，发现这两种应力处于一种平衡的状态，此时的AlGaN薄膜有最优的结晶质量。