Sol—Gel工艺Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜制备与晶相结构研究

来源 :材料科学与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wenliang729

【摘要】

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采用Sol-Gel工艺制备了Si基Bi4TiO12铁电薄膜.研究了退火温度、退火时间、薄膜厚度等对薄膜晶相结构的影响.研究表明,退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜晶相结构的影响最为显

【作者】

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王华于军王耘波秦冬成

【机构】

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桂林电子工业学院通信与信息工程系,华中科技大学电子科学与技术系

【出处】

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材料科学与工程

【发表日期】

：

2002年4期

【关键词】

：

SOL-GEL法铁电薄膜晶相结构制备工艺钛酸铋铁电材料 sol|gel technique ferroelectric thin films

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采用Sol-Gel工艺制备了Si基Bi4TiO12铁电薄膜.研究了退火温度、退火时间、薄膜厚度等对薄膜晶相结构的影响.研究表明,退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜晶相结构的影响最为显著,而且随退火温度升高,Bi4Ti3O12薄膜更趋向于沿c-轴取向的生长;退火时间在30分钟内对薄膜晶相结构的影响比较明显;薄膜厚度及30分钟以上的退火处理对薄膜晶相结构的影响不大.

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