【摘 要】
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利用光学显微镜、显微拉曼光谱仪研究了4H-SiC晶体表面形貌和多型分布。显微镜观察结果显示4H-SiC小面生长螺蜷线呈圆形,沿〈112-0〉方向容易出现裂缝。裂缝两侧有不同的生长
【机 构】
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山东大学晶体材料国家重点实验室,嘉兴学院
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利用光学显微镜、显微拉曼光谱仪研究了4H-SiC晶体表面形貌和多型分布。显微镜观察结果显示4H-SiC小面生长螺蜷线呈圆形,沿〈112-0〉方向容易出现裂缝。裂缝两侧有不同的生长形貌。拉曼光谱结果显示缺陷两侧为不同的晶型,裂缝实际为晶型转化的标志。纵切片观察发现,在4H-SiC和15R-SiC多型交界处产生平行于〈112-0〉方向裂缝;15R-SiC多型一旦出现,其径向生长方向平行于〈112-0〉方向,轴向生长方向平行于〈0001-〉方向。
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