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我们用反应蒸发法在氧分压２×１０＾－２Ｐａ衬底温度８０～２４０℃条件下蒸发铟－锡合金，在有机薄膜衬底上制备出ＩＴＯ膜，并研究了其结构和光电特性随制衬底温度的变化，制备膜的最佳取向为（１１１）方向，迁移率在２０．７～３６．７ｃｍ＾２．Ｖ＾－１．ｓ＾－１，载流子浓度（１．７～４．４）×１０＾２０ｃｍ＾－３，适当调节制备参数，可得电阻率为６．６３×１０＾－４Ω．ｃｍ，在可见光区透过率达８２％的有机薄膜衬