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高压场效应管是 BCD 工艺中的核心器件,常用有 LDMOS（Lateral-Double-Diffused MOS,横向双扩散场效应晶体管）和 DDDMOS（Double-Diffuse-Drain MOS,双扩散漏场效应晶体管）两种.由于 DDDMOS 实现结构简单且工艺流程与传统 CMOS 工艺兼容,被大量应用于 LCD 驱动电路,电源芯片管理电路等对耐压要求不高的高压电路.随着 DDDMOS 器件尺寸的不断缩小和集成度的不断提高,其热载流子注入（HCI）损伤却变得越来越严重.分析 N 型高压双扩散