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设计了一种新的低压、高速、高线性度的双通道 MOS 开关栅压自举电路，该电路采用同时自举NMOS 和 PMOS 的并行结构，不但降低了 MOS 开关的导通电阻值，同时在输入信号的全摆幅范围内实现了常数的导通电阻；考虑了器件可靠性要求且与标准的 CMOS 工艺技术兼容．采用0.13μm CMOS 工艺和1.2 V 工作电压的仿真实验表明，提出开关的导通电阻在全摆幅输入信号范围内的变化量小于4.3％；在采样频率为100 M Hz ，输入峰峰值为1 V ，输入频率为100 M Hz时，提出开关的总谐波失真达到-