【摘 要】
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日本NEC公司新近开发出一种“光束加热电阻变化法(OBIRCH)”,这种方法,利用激光扫描,可高速、非破坏性地检测超LSI布线中0.1μm左右的缺陷。 该装置的原理,沿着布线照射激光
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日本NEC公司新近开发出一种“光束加热电阻变化法(OBIRCH)”,这种方法,利用激光扫描,可高速、非破坏性地检测超LSI布线中0.1μm左右的缺陷。 该装置的原理,沿着布线照射激光,缺陷部分便产生热量、温度上升,随之电阻也发生
Japan’s NEC Corporation recently developed a “beam heating resistance change method (OBIRCH)”, this method, the use of laser scanning, high-speed, non-destructive detection of ultra-LSI wiring defects of about 0.1μm. The principle of the device, along the wiring of laser irradiation, defect part will produce heat, the temperature rise, along with the resistance also occurred
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