Si(111)-(3 3)R30 -Ga表面原子结构

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liongliong578
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利用自动张量低能电子衍射(ATLEED)定量地研究Si(111)-(3×3)R30°-Ga重构表面的原子结构.证实了Ga原子吸附在T4位即第二层Si原子所对的空位上,同时给出了表面最顶层7个原子层的详细坐标.可靠性因子RVHT=0.143表明理论计算和实验符合得非常好.
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