氧化多孔硅上制作Cu电感的研究

来源 :微细加工技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jessieharbin

【摘要】

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给出了一种厚膜氧化多孔硅(OPS)层上制作Cu电感的新型工艺技术.由于OPS是一种低损耗的材料,铜的电阻率很低,采用OPS隔离硅衬底和Cu线圈能够降低电感的寄生损耗,提高电感Q值.

【作者】

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陈忠民刘泽文刘理天李志坚

【机构】

：

清华大学

【出处】

：

微细加工技术

【发表日期】

：

2004年4期

【关键词】

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氧化多孔硅电镀电感射频 OPS (oxidized porous silicon) electroplating inductor RF

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划(973计划)

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给出了一种厚膜氧化多孔硅(OPS)层上制作Cu电感的新型工艺技术.由于OPS是一种低损耗的材料,铜的电阻率很低,采用OPS隔离硅衬底和Cu线圈能够降低电感的寄生损耗,提高电感Q值.实验过程中将孔隙度＞56%的多孔硅厚膜利用两步氧化法氧化为OPS厚膜,通过种子层溅射/光刻/电镀Cu/刻蚀种子层的方法完成了Cu线圈的电镀.获得了1 nH的电感,其Q值在10 GHz的频率下达到了9,电感的自谐振频率超过20 GHz.

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