普通单晶EL黑斑研究

来源 :山西化工 | 被引量 : 0次 | 上传用户:reinhardwu
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研究了普通单晶EL黑斑的主要形成原因,并针对此做了工艺调整。实验结果表明:制绒后硅片上的水滴在自然晾干条件下,扩散烧焦和EL黑斑明显,普通单晶的EL黑斑主要为制绒硅片疏水性差造成,调整制绒酸洗槽浓度、热水时间及烘干炉时间,EL黑斑比例下降了0.14%。
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