论文部分内容阅读
为了有效阻止锆钛酸铅镧（PLZT）与半导体界面发生反应和互扩散，根据锆钛酸铅镧和钛酸铋（BIT）各自的铁电性能，采用脉冲准分子激光淀积（PLD）方法制备了BIT／PLZT／BIT多层结构铁电薄膜，测量和分析了它的I-V特性曲线．结果表明，这种结构吸收了锆钛酸铅镧和钛酸铋的优点，提高了铁电薄膜的铁电性能，为进一步研究薄膜的存储特性提供了基础．