【摘 要】
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对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究.结果说明:在氧化层电场较高时Fowler-Nordheim隧穿电流决定着SiC MOS结构的漏电流,当辐照栅偏压为高的正电压时,电
【机 构】
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中国科学院半导体研究所微电子研发中心,西安电子科技大学微电子研究所
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对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究.结果说明:在氧化层电场较高时Fowler-Nordheim隧穿电流决定着SiC MOS结构的漏电流,当辐照栅偏压为高的正电压时,电离辐照对SiC MOS电容的影响会更明显,SiC MOS器件比Si器件具有好的抗γ辐照的能力,在58kGy(Si)的辐照剂量下,其平带电压漂移不超过2V.
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