Q235钢K-TIG焊接小孔稳定性及接头组织性能研究

来源 :热加工工艺 | 被引量 : 0次 | 上传用户:singleitol
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
采用K-TIG焊接技术对10 mm厚Q235低碳钢进行了焊接试验,并对影响小孔稳定性的因素、接头组织与力学性能进行了研究。试验结果表明:在焊接电流520 A、焊接速度4.4 mm/s、装配间隙1.2 mm的条件下,成功实现了Q235低碳钢对接焊的单面焊双面成型,焊接稳定且焊缝成型美观。装配间隙的增加不仅降低了焊缝表面宽度,同时减小了熔池体积,改变了焊缝的深宽比。装配间隙能有效解决大电流焊接所带来的较大电弧压力,对增加小孔的稳定性有很好的促进作用。K-TIG焊接接头微观组织主要为针状铁素体,在拉伸、冲击和弯曲试验中,K-TIG焊接接头表现出良好的综合力学性能。
其他文献
Al2O3由于其具有较好的绝缘性能、较高的硬度、良好的导热性和耐磨性,且化学性质稳定,在绝缘和耐磨损涂层领域具有广阔的应用前景。但在使用常规物理气相沉积方法制备Al2O3涂层时沉积速率极低,很难满足实际使用需求。针对如何快速沉积致密Al2O3薄膜这一难题,本研究提出了熔融Al靶高功率脉冲磁控溅射技术,研究了放电过程中电压电流的变化规律,并采用等离子体发射光谱仪、等离子体质谱对放电过程中的等离子体参
学位
近年来,随着柔性印刷电子的发展,铜纳米线(Cu Nanowires,Cu NWs)由于其独特的导电性、机械柔韧性、热力学性能,在柔性电子领域得到广泛应用。Cu的导电率与Ag接近,但是Cu的价格比Ag低100倍,具有极高的成本优势,但Cu NWs易氧化的问题依然存在,Cu@Ag核壳结构作为一种解决氧化问题的新型方法而得到广泛关注。此外,脉冲光烧结技术由于其快速、高效、对基底无损害的优势而在柔性连接领
学位
随着电子封装技术的不断发展,各式各样的芯片的应用领域不断被拓宽,在某些对芯片应用领域服役温度要求高的领域,如汽车电子,深空探测等领域,传统的Sn基钎料无法在较高温度服役,而其它高温钎料如纳米颗粒烧结虽然可以低温烧结高温服役,但是其无法避免出现烧结孔洞等缺点,而且纳米颗粒存在其自身的问题,如纳米Cu颗粒烧结过程容易氧化而纳米Ag颗粒抗电迁移能力差,成本高度,瞬时液相连接虽然可以制备全IMC(金属间化
学位
TiAl合金具有与Ni基高温合金相当的耐高温性能,但密度只有Ni基高温合金的一半,同时还具有更高的比强度、比刚度、抗氧化性以及抗蠕变性能,是一种非常具有应用前景的轻质耐高温结构材料。通过铸造方法制备的Ti4522XD(Ti-45Al-2Nb-2Mn(at.%)+0.8vol.%Ti B2)合金受限于工艺的本征缺点,材料内部存在成分偏析,晶粒粗大等缺陷。针对上述问题,本文利用高温淬火-低温回火热处理
学位
文中以大型覆土式储罐为研究对象,介绍了SPMT在储罐焊接制造及安装过程中的应用。通过设计一种U形运输鞍座解决了覆土式储罐制造到运输的转运问题,并根据覆土式储罐的尺寸及自身质量对SPMT进行选择和组合,随后进行了SPMT运输的捆绑、道路加固、路线规划、模拟载重试验等研究,最终完成SPMT的运输落位,实现了SPMT在覆土式储罐制造及安装过程的成果应用,提高了效率,降低了安装和运输成本。
期刊
在后摩尔时代,柔性电子技术突破了传统硅基电子学的局限,引发了新一代的技术变革。在不同种应用于柔性电子领域的制造技术中,印刷电子技术是目前的研究热点。电流体喷墨印刷技术由于可以克服传统喷墨印刷喷嘴内径的限制,从而具有较高的分辨率。然而,电流体喷墨印刷技术是一种使用静电力进行沉积的物理手段,其往往会墨水的导电填料连接松散,其间具有较大的接触电阻,其性能会受到限制,因此需要各种后处理手段来提高印制图案的
学位
基于中小学校“双减”实践困境的现状分析,探讨“双减”政策实施中学校所面临的执行难、政策宣传有偏差、执行方向不明确等一系列问题,从教育学、社会学等角度探讨了问题的本质及其根源,建议学校建立科学评价机制,加强宣传教育,强化政策理解,注重政策的实践性和可行性,以实现“双减”政策落地和育人质量的提升,为广大中小学校实施“双减”提供参考和借鉴。
期刊
针对覆土式储罐涂层缺陷部位受废水影响出现锈蚀,进而造成储罐寿命短的问题,提出阴极电位法对储罐基体进行保护。探究了阴极保护的规律及保护机理。试验结果表明,废水与缺陷涂层的作用时间越长,对材料的腐蚀越严重,涂层和基体的耐腐蚀性能越差。在基体表面施加外加电压后,材料的耐腐蚀性能得到明显提升。当阴极保护电位为-850 mV时,基体发生腐蚀的难易值(Rf)明显高于其他阴极保护电位,此时金属基体本身的化学稳定
期刊
随着气候变暖的加剧,清洁能源作为一个重要议题成为了人们关注的焦点。其中核能具备能量储备大、碳排放量小、能量密度大等优点被屡次提及。但由于核能自身具备一定的危险性,故而在建造核电站和核电站升级的过程中便需要对现有的部分材料进行改良升级。Si C材料便是一个理想的包壳管代替材料,其具有较良好的力学性能和辐照稳定性。但由于其难以实现直接复杂结构成型,故而需要寻求高效、可靠的焊接方式。本文使用新型的快速烧
学位
近年来,半导体技术的发展使得硅基半导体材料在应用方面已接近材料极限,硅基功率半导体器件已逐渐不能满足市场的需求,以碳化硅(Si C)、氮化镓(Ga N)为代表的的第三代半导体发展受到重视。相对于传统Si来说,Si C有3倍的导热性能、10倍的耐压强度和2倍的饱和电子迁移速率,其综合性能大大提高,是目前是制造高温、高压功率半导体器件的优良材料。但传统的Sn基钎料在200℃的使用温度下可靠性会急剧下降
学位