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采用UMCO．6μmBCD工艺，设计了一种高性能双频振荡电路，并成功地将其应用于一款高效率、宽输入电压范围的DC—DC降压型开关变换器中。该电路作为整个芯片的核心模块之一，采用双电容充放电技术和RS触发机制，实现方波信号高、低电平时间精确可控。仿真结果表明，在考虑偏置电流、电源电压、温度以及MOSFET工艺波动的容差时，该振荡器的正常工作频率和占空比的最大偏差分别为7％和5％。