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脉冲激光沉积法(PLD)以其低温成膜优势被公认为是宽禁带半导体AIN薄膜的优选制备方法。获得高质量的AIN薄膜需要最佳的薄膜/衬底匹配和工艺参数。综述了各种常见异质外延衬底与AIN薄膜的取向关系,分析了影响薄膜质量的工艺因素,介绍了薄膜在电、光、热方面的性能研究现状,并指出了今后工作的方向。