离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理

来源 :2006年全国功能材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：YYXINLEI

【摘要】

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采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一方面使量子阱表面变粗糙,使出射光逃逸几率增大;另一方面Ar离子隧穿引起的量子阱内部微结构变化则是发光效率提高的主要原因.

【作者】

：

吴惠桢曹萌劳燕锋刘成谢正生曹春芳

【机构】

：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;浙江大学,物理系固体电子材料物理与器件实验室,浙江,杭州,310027

【出处】

：

2006年全国功能材料学术年会

【发表日期】

：

2006年11期

【关键词】

：

半导体材料离子刻蚀应变多量子阱光致发光

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