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采用Sol～Gel法在Pt／TiO2／SiO2／Si基底上制备了多种不同组分的（Pb0.3Sr0.7）1-xKxTiO3（PST）（x=0，1mol％，2．5mol％，5mol％）多层均匀薄膜，并研究了它们的介电调谐性能．发现掺杂后薄膜的晶型未改变，介电常数降低及介电损耗减小．1MHz时，随K含量的从0增加至5mol％，薄膜的介电常数从841降低至539，而介电损耗由0．134减小到0．058，其微波介电综合性能改善．