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将氧化铟锡（ITO）生长于氮化镓基蓝色发光二极管的出光台面上（p型GaN台面），用非平面化处理的方法制作出ITO井状结构，研制出非平面化型氧化铟锡-氮化镓基蓝色发光二极管（LED），获得了高的出光效率。结果表明，在20mA工作电流下，该蓝色发光二极营的出光光强是平整的普通ITO-GaN基LED的1．35倍。