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采用激光快速熔凝技术处理了ＣｕＣｒ５０材料的表面，结果表明，该方法可使ＣｕＣｒ５０材料表面得到３～５μｍ的亚晶层，该层孔隙率低，硬度比基体提高近１倍，但电导率变化不大。当其它工艺参数不变时，可通过改变激光功率来获取不同深度的熔池，在熔池与基体之间存在一热影响区，该区的性能界于表层和基体之间，激光表面重熔作为ＣｕＣｒ５０触头材料表面强化的工艺是可行的。