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电力半导体器件的发展是不断实现器件特性理想化的过程，该文中介绍了ＩＧＢＴ、ＳＩＴ、ＳＩＴＨ、ＭＣＴ和ＰＩＣ等新型器件，并指出目前水平是ＩＧＢＴ为３０００Ｖ、１０００Ａ，ＳＩＴ为１５００Ｖ、３００Ａ、ＳＩＴＨ为４５００Ｖ、２５００Ａ、ＭＣＴ为３０００Ｖ、１０００Ａ、ＰＩＣ是智能化的功率集成电路。同时列表比较ＩＧＢＴ、ＳＩＴ、ＳＩＴＨ和ＭＣＴ四种电力半导体器件的性能。最后指出：ＭＣＴ、ＰＩＣ器件处在不