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采用磁控溅射技术和退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备了Mg2Si半导体薄膜,研究了Mg膜厚度对Mg2Si薄膜结构及其电学性质的影响。在钠钙玻璃上分别溅射两组相同厚度（175nm）的P-Si和N-Si膜,然后在其上溅射不同厚度Mg膜（240nm、256nm、272nm、288nm、304nm）,低真空退火4h制备一系列Mg2Si半导体薄膜。通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、霍尔效应测试仪对Mg2Si薄膜的晶体结构、表面形貌、电学性质进行表征与分析。结果表明：采用磁控溅射技术在钠钙玻璃衬底上成功