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介绍了等离子显示板(PDP)扫描驱动集成电路(IC)的结构和工作原理,提出了一种与2.0/xm标准CMOS工艺完全兼容的新型高压BCD工艺.设计了新型场氧作厚栅HV-pMOS器件和薄栅氧HV-nVDMOS器件,开发了一种新型的PDP扫描驱动集成电路.采用此工艺可以节省三个光刻版、两次注入(HV-N阱和PDA)和一次氧化工艺,有效地降低工艺复杂度和生产成本.最终流片和测试结果表明,HV-nVDMOS和HV-pMOS管的耐压均超过165V,达到系统设计要求.当电源电压为90V、负载为200pF时,PDP扫描驱