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以高质量GaN单晶基片作为衬底实现GaN的同质外延生长，是获得GaN半导体器件优异性能的基础。高质量GaN单晶基片的缺乏已成为国际范围制约GaN器件发展的瓶颈。在GaN体单晶的几种生长方法中，由于Na助熔剂法的生长条件相对温和且成本相对较低，近年来发展较快。本文从Na助熔剂法的原理、生长工艺、助熔剂种类以及得到晶体尺寸和质量等几方面进行了综述，分析了目前Na助熔剂法生长GaN单晶中的技术问题并提出了进一步研究的一些建议。