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本文研究了PMOS辐射检测传感器的阈值电压漂移特性,文中选择三种具有不同参数的器件结构进行讨论,重点考察了器件尺寸参数对阈值漂移特性的影响,运用二维数值模拟软件MEDICI进行数值模拟和分析,模拟结果表明栅氧厚度、沟道长度和宽度以及沟道掺杂浓度对阈值电压漂移特性具有不同形式的影响。
PMOS辐射检测传感器阈值漂移特性的Medici模拟
【摘 要】
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本文研究了PMOS辐射检测传感器的阈值电压漂移特性,文中选择三种具有不同参数的器件结构进行讨论,重点考察了器件尺寸参数对阈值漂移特性的影响,运用二维数值模拟软件MEDICI
【机 构】
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江南大学信息工程学院
【出 处】
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微计算机信息
【发表日期】
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2010年19期
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