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重离子在SiO2中能产生永久径迹，因此它可能对MOS器件电学特性产生影响。文章用Geant4软件对Au和Sn两种离子进行蒙特卡洛模拟，重点分析高能粒子在si02中的能量沉积及径迹。基于模拟分析，对专门设计的65nmn沟MOSFET器件进行Sn离子辐照实验，发现辐照后Ids和I8明显增大，分析器件辐照前后阈值电压、跨导、沟道电流以及栅漏电流等特性参数变化的原因。