【摘 要】
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运用扫描电子显微镜(SEM)及氘的定量深度分布测量,系统地研究了在氘离子轰击下金属钨和钼的损伤情况, 特别是钨表面气泡的形成及机制,以及氘在表面层的滞留量与气泡形成机制
【机 构】
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中国科学院上海原子核研究所,Max-Planck-Institut für Plasmaphysik
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运用扫描电子显微镜(SEM)及氘的定量深度分布测量,系统地研究了在氘离子轰击下金属钨和钼的损伤情况, 特别是钨表面气泡的形成及机制,以及氘在表面层的滞留量与气泡形成机制之间的关系.D+能量为100-1000eV, 轰击注量为1×1019-1×1021cm-2.轰击过程中靶表面温度分别控制在室温、600℃和800℃.研究结果为聚变堆壁材料的选择提供了依据.
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