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分析研究了热丝化学汽相沉积(HFCVD)法工艺参数的变化对SiC薄膜质量的影响.结果表明 ,合理的选取工艺参数,可在较低温度(700～900℃)下,沿Si(111)晶向异质生长出高质量的准晶SiC薄膜.
HFCVD法制备SiC薄膜工艺
【摘 要】
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分析研究了热丝化学汽相沉积(HFCVD)法工艺参数的变化对SiC薄膜质量的影响.结果表明 ,合理的选取工艺参数,可在较低温度(700～900℃)下,沿Si(111)晶向异质生长出高质量的准晶Si
【机 构】
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西北大学
【出 处】
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西北大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2002年3期
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