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为提升器件击穿特性,在Double-RESURF器件的衬底上引入N型的浮空层,构建出一种带部分浮空层的LDMOS器件。利用TCAD仿真软件对器件进行仿真,通过建立二维击穿模型的建立,对器件的结构参数进行优化,实现提升器件的击穿性能的目的。结果表明对器件结构参数进行优化可以改善器件的击穿性能。