AlGaAs/AlAs体系DBR的MOCVD生长及表征

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设计并利用MOCVD在(311)GaAs衬底上生长了12.5个周期的Al0.6Ga0.4As/AlAs黄绿光分布式Bragg反射(DBR)体系,测量了白光反光谱及其外延片峰值波长分布,反射率90 %以上,波长不均匀性在1.0 %以下;利用了X射线双晶衍射对其进行结构表征,580 nm波长DBR结构周期为84.5 nm.
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